瀚天天成发布全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片实现技术突破

瀚天天成发布全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片，实现重大技术突破，这一创新产品采用先进的生产工艺和高质量材料，具有出色的性能和可靠性，将推动碳化硅材料在电子、光伏等领域的应用和发展，这一成果的发布标志着中国在半导体材料领域取得了重要进展，有望引领全球碳化硅产业的发展方向。

12月24日消息，东南网报道，厦门火炬高新区企业瀚天天成近日成功研发出全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片。

这一突破不仅将显著提升下游功率器件的生产效率，更可大幅降低碳化硅芯片的单位制造成本，为产业规模化、低成本应用奠定关键基础。

第三代半导体碳化硅相比传统硅材料，具备更优异的高频、高压、高温性能，有助于实现系统更低能耗、更小体积与更轻重量的目标，目前已被广泛应用于新能源汽车、光伏发电、AI电源、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。

相较于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍处于产业化推进阶段的8英寸晶片，12英寸晶片凭借其直径的大幅增加，在相同生产流程下单片可承载的芯片数量显著提升——分别为6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。

目前，瀚天天成已启动12英寸碳化硅外延晶片的批量供应准备工作。该产品关键性能指标表现突出：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不均匀性≤8%，2mm x 2mm芯片良率超过96%，能够充分满足下游功率器件对高可靠性的应用需求。

据悉，瀚天天成是中国首家实现3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片商业化批量供应的企业。

根据灼识咨询研究报告，公司已于2023年成为全球规模最大的碳化硅外延晶片供应商，2024年全球市场份额超过31%。